站着最珍照片b）用于CO2加氢的碳氢化合物（HCs）和含氧化合物的无CO分布。

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站着最珍照片（b）电路复杂度的理论估计。霍的李的屠（f）QDGFET的多值传输特性显示了常规导通状态和截止状态之间的中间状态。

文献链接：金嘉诚RecentAdvancesonMultivaluedLogicGates:AMaterials Perspective(AdvancedScience，2021，10.1002/advs.202004216)本文由材料人CYM编译供稿。

（c，呦呦e）二逆逆变器和STI的典型输入/输出特性和品质因数。岁朋（e）极化子的多重稳定性。

同时对具有代表性的MVL门的通用格式的评估，友圈揭示了组件器件为实现理想的宽范围运行而需要满足的设计标准。总结了每种材料的发展，站着最珍照片为将来对MVL门的研究提供了指导。

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